IRF540N mos tubes 58n20, à 263, SMD FET, caractéristiques du produit MOSFET de puissance (1) caractéristiques de transfert: le r?le de la tension de grille sur les caractéristiques de contr?le du courant de drain est appelé métastase. (2) caractéristique de sortie: ID est appelé UDS relationnels et caractéristiques de sortie. Amplification (3) Junction FET: jonction FET amplification se réfère généralement à l'amplification de tension. fqpf8n60c, FET de la tube MOSFET, Fairchild (1) Afin de garantir l'utilisation des FET, ne peut pas dépasser la dissipation de puissance du tube, la tension maximale drain-source, la tension maximale de grille-source et le courant maximal dans les paramètres de conception de circuit tels que la limite. (2) Le FET de type lorsqu'il est utilisé, doit être en stricte conformité avec les exigences de la polarisation de circuit d'accès, de respecter le biais polarité FET. Comme JFET porte entre la source et le drain est une jonction PN, à canal N grille de tube peut pas ajouter biais positif; le tube à canal P ne peut pas ajouter polarisation négative de grille MOS tube de 24n50, mos tube étant électrons fertiles de Dongguan Wal-Electronic Technology Co., Ltd sont disponibles. Dongguan est Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) forte, crédible, FET et d'autres industries à Dongguan, Guangdong a accumulé un grand nombre de clients fidèles. La société meilleure attitude de travail et l'amélioration constante des idées novatrices conduira l'électronique sont fertiles et vous main dans le brillant, pour un avenir meilleur!