fqp50n06, FET, MOSFET, Fairchild FET lors de l'installation, notez l'emplacement de l'installation doit être évitée à proximité de l'élément de chauffage; pour éviter les vibrations du tuyau, il est nécessaire de resserrer le tube de forage; brochage lorsqu'il est plié, doit être supérieure à la taille de 5 mm à la racine, pour éviter de plier les broches et causer des fuites et autres hors tension. Doit être ajouté à la conduite du radiateur droit après avoir utilisé le VMOS. Dans VNF306 titre d'exemple, l'installation de la conduite 140 × 140 × 4 (mm) de l'évier de la chaleur après K1837 FET, la puissance maximale afin de parvenir à 30W. fqpf8n60c, fils FET FET, MOSFET FQL40N50 MOSFET, Fairchild MOS FET raison de la forte impédance d'entrée 47N60C3 FET, de sorte que le transport, le stockage doit être court-circuitée, utilisent métallique blindage emballage éviter l'induction externe porte liée panne. Portez une attention particulière à, ne peut pas être placé dans une bo?te en plastique MOS FET, lorsque vous enregistrez le meilleur sur la bo?te de métal, mais aussi faire attention à l'humidité du tube. 47N60C3 FET _ sont fertiles Electronique (certifié) _ FET Dongguan est fourni par Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan est Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) est chef de file, Dongguan FET, au fil des ans, la société est la mise en ?uvre de la gestion scientifique, l'innovation et le développement, le principe de l'honnêteté et de fiabilité, et de satisfaire les besoins des clients. Wal-chef de file de l'électronique dans le positif avec le personnel salue chaleureusement toutes les négociations de demandes de renseignements pour créer un avenir positif Wal-électrons mieux.