fqpf8n60c, fils FET, MOSFET, Fairchild MOS FET en raison de l'impédance d'entrée très élevé, de sorte que le transport, le stockage doit être court-circuitée, utiliser un emballage métallique de blindage pour empêcher l'induction étrangère porte lié panne. Portez une attention particulière à, ne peut pas être placé dans une bo?te en plastique MOS FET, lorsque vous enregistrez le meilleur sur la bo?te de métal, mais aussi faire attention à l'humidité du tube. g40n60, FET, puissance MOSFET, IGBT pour le pouvoir FET FET, une bonne dissipation de la chaleur. Parce que l'utilisation radiateur FET de puissance dans des conditions de forte charge, doivent être con?ues IRFB61N15D FET assez pour se assurer que la température du bo?tier ne dépasse pas la cote IRFB4115 FET, le dispositif travail à long terme stable et fiable. En bref, pour assurer l'utilisation sécuritaire de FET, les notes sont diverses, mais aussi une variété de mesures de sécurité à grande FET actuelle, la majorité du personnel professionnel et technique, en particulier la majorité des amateurs électroniques, être fondée sur leur situation réelle, de prendre des mesures pratiques, en toute sécurité et efficacement avec un bon FET. IRFP4332 FET, sont fertiles Electronique (certifié), FET fournies par la Ville de Dongguan est Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan est Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) est chef de file, Dongguan FET, au fil des ans, la société est la mise en ?uvre de la gestion scientifique, l'innovation et le développement, le principe de l'honnêteté et de fiabilité, et de satisfaire les besoins des clients. Wal-chef de file de l'électronique dans le positif avec le personnel salue chaleureusement toutes les négociations de demandes de renseignements pour créer un avenir positif Wal-électrons mieux.